Метод «интегрировать-и-сработать» с утечками
Исправить недостаток вечной памяти позволило введение концепции утечки.
Метод моделирует имитацию диффузии ионов, происходящую в мембране в случае
недостижения условий для генерации потенциала действия. Улучшенная подобным
образом модель может быть описана следующей формулой:
где Rm – значение электрического сопротивления мембраны. Теперь, чтобы
сгенерировался потенциал действия, значение тока на входе должно превысить
некоторый порог Ith = Vth / Rm. Иначе происходит утечка, аннулируя любые
изменения потенциала. Частота срабатывания принимает следующий вид:
что соответствует предыдущей модели (без утечки) для больших величин тока.
Notice: Undefined index: /95matmodut.php in /home/cr16518/neyroton.ru/navig.php on line 180
Notice: Undefined index: in /home/cr16518/neyroton.ru/navig.php on line 363